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1.1 范圍
GB/T 5959.1-2019的本條用以下內(nèi)容代替。
代替：
GB/T 5959的本部分規(guī)定了通常由紅外發(fā)射器產(chǎn)生的紅外輻射在裝置內(nèi)明顯超過(guò)熱對(duì)流和熱傳導(dǎo)，作為傳熱方式，向被處理材料傳遞能量的工業(yè)電熱設(shè)備和裝置的安全要求。范圍的進(jìn)一步限制是在空氣或真空中最大光譜輻射波長(zhǎng)在780nm以上，且通過(guò)諸如熱輻射或高壓電弧發(fā)射寬波段連續(xù)光譜的紅外發(fā)射器。
GB/T 5959.1-2019將紅外定義為頻率范圍在大約400 THz～300 GHz之間的光學(xué)輻射。在真空中的對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)范圍在780nm～10μm。工業(yè)紅外加熱通常使用額定溫度在500℃～3000℃的紅外源，從這些紅外源發(fā)出的輻射主要位于780nm～10μm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)。
由于大量的熱發(fā)射器的發(fā)射波長(zhǎng)可能低于780nm或高于3000 nm，所以本部分同樣考慮了可見(jiàn)光和波長(zhǎng)超過(guò)3000nm的輻射的安全方面的問(wèn)題。
本部分不適用于：
——以激光或發(fā)光二極管（LED）作為主要輻射源的紅外裝置-GB/T 20145-2006 及IEC 60825-1：2014［2］適用于此類裝置；
——公用電器用具；
——實(shí)驗(yàn)室用電器用具-IEC 61010-1：2010［3］適用于此類器具；
——電阻加熱裸導(dǎo)線、電熱管或電熱棒作為加熱元件，且紅外輻射并非預(yù)期應(yīng)用中占支配地位的副作用的電熱裝置，由GB 5959.4-2008［］規(guī)定；
——所有紅外發(fā)射器的標(biāo)稱總功率小于250 W的紅外加熱設(shè)備；
——手持紅外設(shè)備。
本部分范圍內(nèi)的工業(yè)紅外電熱設(shè)備通常利用焦耳效應(yīng)，通過(guò)一個(gè)或多個(gè)輻射源，將電能轉(zhuǎn)化為紅外輻射，然后從一個(gè)或多個(gè)元件將輻射發(fā)射到被處理的材料上。以下紅外加熱元件更是如此：
——內(nèi)部具有電阻元件的管狀、板狀或其他形狀的陶瓷熱紅外發(fā)射器；
——以高溫?zé)艚z作為輻射源的紅外石英玻璃管或鹵素?zé)舭l(fā)射器；
——由二硅化鉬、碳化硅、石墨、鐵鉻鋁合金、耐火金屬或類似材料制成的非絕緣元件；
——寬光譜電弧燈。
1.2 目的
GB/T 5959.1-2019的本條適用。
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。
除以下內(nèi)容外，GB/T 5959.1-2019的本章適用。
增加：
GB/T 5959.1-2019 電熱和電磁處理裝置的安全 第1部分：通用要求（IEC 60519-1：2015，IDT)
除以下內(nèi)容外，GB/T 5959.1-2019的本章適用。
補(bǔ)充：
3.1 一般概念
3.1.101
紅外輻射 infrared radiation
波長(zhǎng)大于可見(jiàn)輻射波長(zhǎng)的光學(xué)輻射。
注1：780nm～1mm范圍內(nèi)的紅外輻射通常分為：
IR-A：780nm～1400nm，或者表面溫度在3450℃～1800℃的灰體發(fā)射器；
IR-B：1 400 nm～3000 nm，或者表面溫度在1800℃～690℃的灰體發(fā)射器；
IR-C：3 000nm～1mm，或者表面溫度低于690℃的灰體發(fā)射器。
溫度與邊界波長(zhǎng)下的最大強(qiáng)度光譜相對(duì)應(yīng)。
上述范圍與GB/T 20145-2006一致。
注2：在GB/T 2900.83-2008中定義了下列術(shù)語(yǔ)：
841-24-04：短波紅外輻射或近紅外輻射（780nm～2μm）；
841-24-03：中波紅外輻射或中紅外輻射（2μm～4μm）；
841-24-02：長(zhǎng)波紅外輻射或遠(yuǎn)紅外輻射（4μm～1mm）．
本部分沒(méi)有采用這些術(shù)語(yǔ)。
［來(lái)源：GB/T 20145-2006,3.14，修改-修改了注1且增加了注2］
3.1.102
紅外加熱 infrared heating
由專門制造的設(shè)備發(fā)射，以吸收熱輻射和光輻射，大部分是紅外輻射形式進(jìn)行的加熱。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-05，修改-對(duì)定義進(jìn)行了編輯性改動(dòng)］
3.2 設(shè)備和設(shè)備狀態(tài)
3.2.101
紅外裝置 infrared installation
紅外電熱裝置 infrared electroheating installation
利用紅外加熱完成工件處理的電熱裝置。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-09，修改-增加了另一個(gè)同義術(shù)語(yǔ)，縮短了定義］
3.2.102
紅外發(fā)射器 infrared emitter
發(fā)射紅外輻射的元件。
注：這種元件通常是可替換的。
3.2.103
紅外源 infrared source
通過(guò)焦耳效應(yīng)將電能轉(zhuǎn)換成熱或輻射的紅外發(fā)射器的一部分。
3.2.104
燈絲 filament
使電能在其中通過(guò)焦耳效應(yīng)轉(zhuǎn)換成熱能的紅外發(fā)射器的導(dǎo)線或線狀物。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-27，修改-定義變得明晰］
3.2.105
紅外陶瓷加熱器 infrared ceramic heater
由陶瓷材料制成或覆蓋的紅外發(fā)射器。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-13，修改-縮短了定義］
3.2.106
管狀紅外發(fā)射器 tubular infrared emitter
具有一種基本尺寸（長(zhǎng)）的紅外發(fā)射器。
注：這種發(fā)射器可包括反射方式且可以是直線型或彎曲的。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-24，修改-縮短了定義，增加了注］
3.2.107
板狀紅外發(fā)射器 infrared plate emitter
具有兩種基本尺寸（長(zhǎng)，寬）的紅外發(fā)射器。
注：這種發(fā)射器可包括反射方式且可以是平面或是曲面的。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-25，修改-縮短了定義，增加了注］
3.2.108
紅外石英發(fā)射器 infrared quartz emitter
紅外源在石英玻璃殼內(nèi)的紅外發(fā)射器。
注：由類似維克玻璃的硬質(zhì)玻璃制成的玻璃殼也包括在內(nèi)。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-26，修改-縮短了定義，增加了注］
3.2.109
鹵素?zé)舭l(fā)射器 halogen lamp emitter
鎢絲位于充有鹵素氣體的氣密性玻璃殼內(nèi)的紅外發(fā)射器，鹵素很活躍地將玻璃內(nèi)壁上的鎢轉(zhuǎn)移到鎢絲上。
注：鹵素?zé)舭l(fā)射器是典型的紅外石英發(fā)射器。
［來(lái)源：GB/T 2900.83-2008,841-24-22，修改-定義變得明晰，增加了注］
3.2.110
紅外反射器 infrared reflector
反射并對(duì)紅外輻射進(jìn)行導(dǎo)向的無(wú)源、非透射組件。
注：反射器可以是紅外發(fā)射器的一部分，可能進(jìn)行鏡反射或漫反射。
3.2.111
紅外折射器 infrared refractor
匯聚并對(duì)紅外輻射進(jìn)行導(dǎo)向的無(wú)源、透射組件。
注：折射器可以是紅外發(fā)射器的一部分。
3.2.112
紅外波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器 infrared wavelength converter
在正常工作中被紅外輻射加熱到一定溫度的紅外裝置內(nèi)的元件，其自身發(fā)射的輻射參與工件的
加熱。
注：波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器的光譜具有比紅外發(fā)射器的主輻射波長(zhǎng)長(zhǎng)很多的波長(zhǎng)。
3.2.113
紅外模塊 infrared module
裝有一個(gè)或多個(gè)紅外發(fā)射器的組件。
注：這種模塊可以包括反射器、折射器、濾波器或其他保護(hù)發(fā)射器及冷卻裝置的措施。
3.2.114
額定溫度 rated temperature
紅外燈絲或紅外發(fā)射器在額定電壓下的最高表面溫度。
注1：該溫度被用來(lái)確定熱紅外發(fā)射器的光譜輻射。
注2：該溫度在正常工作條件下適用。
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